影響氮化鋁陶瓷基板的熱導率的因素有哪些
編輯：轉自：先進(jìn)陶瓷材料
發(fā)布時(shí)間：2024-07-26
AlN是一種結構穩定且具有六方纖鋅礦結構，無(wú)其他同質(zhì)異型物存在的共價(jià)鍵型化合物。它的晶體結構是由鋁原子和臨近的氮原子歧變產(chǎn)生的AlN4四面體為結構單元；空間群為P63mc，屬于六方晶系。
(2)熱膨脹系數(4.3×10-6/℃)與半導體硅材料(3.5-4.0×10-6/℃)匹配; (4)電性能優(yōu)良,具有極高的絕緣電阻和低的介質(zhì)損耗; (5)可以進(jìn)行多層布線(xiàn),實(shí)現封裝的高密度和小型化; 在300K下，AlN單晶材料理論熱導率高達319W/(m·K)，但是在實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中，由于材料的純度、內部缺陷（位錯、氣孔、雜質(zhì)、點(diǎn)陣畸變）、晶粒取向和燒結工藝等各種因素的影響，其熱導率也會(huì )受影響，常常低于理論值。
單晶AlN的熱傳導機理是聲子傳熱，所以AlN的導熱性能可能主要受晶體中的晶界、界面、第二相、缺陷、電子及聲子本身對其散射控制的影響。由晶格固體振動(dòng)論可知，聲子散射與熱導率λ的關(guān)系式為：
式中c為熱容，v為聲子平均速度，l為聲子平均自由程。從上式可知，氮化鋁的熱導率λ與聲子的平均自由程l成正比，l越大，熱導率越高。從微觀(guān)結構來(lái)看，聲子與聲子之間的相互作用、聲子與雜質(zhì)、晶界缺陷的相互作用，均會(huì )引發(fā)散射，會(huì )對聲子的平均自由程產(chǎn)生影響，從而影響其熱導率。AlN的微觀(guān)結構對其熱導率影響較大，若想獲得高熱導率的氮化鋁陶瓷，盡量要使氮化鋁晶體缺陷少，雜質(zhì)含量少。研究表明：AlN和氧的親和力很強，易氧化，導致其表面易生成氧化鋁膜，由于A(yíng)l2O3中氧原子的溶入，取代了AlN中的氮原子的位置，產(chǎn)生了鋁空位，形成了氧缺陷，具體反應如下： 式中ON為氧原子取代氮化鋁晶格中的氮的位置，VAl為鋁空位。形成的鋁空位散射聲子，導致聲子的平均自由程降低，所以AlN基板的熱導率也會(huì )降低。研究得出結論：AlN晶格中的缺陷種類(lèi)和氧原子濃度有關(guān)。●當氧濃度低于 0.75%時(shí)，氧原子均勻散布在A(yíng)lN晶格中，取代著(zhù)AlN中氮原子的位置，鋁空穴伴隨而生；●當氧濃度不低于 0.75%時(shí)，AlN晶格中的鋁原子的位置會(huì )發(fā)生變化，鋁空位消失，產(chǎn)生八面體缺陷；★當氧原子濃度更高時(shí)，其晶格產(chǎn)生多型體、反演疇、含氧層錯等延展缺陷。以熱力學(xué)為切入點(diǎn)，研究發(fā)現氮化鋁晶格中氧的量受鋁酸鹽反應吉布斯自由能|ΔG°|的影響，|ΔG°|越大，氮化鋁晶格中的氧越少，因而就會(huì )有更高的熱導率。由此可見(jiàn)AlN的熱導率受氧雜質(zhì)的影響較為嚴重，氧雜質(zhì)的存在是其熱導率降低的重要原因。為了提高AlN熱率，通常會(huì )選擇在燒結時(shí)加入所需的助燒劑以達到降低燒結溫度、去除晶格中的氧進(jìn)而實(shí)現提高 AlN 熱導率的目的。
目前關(guān)注較多的是多元復合燒結助劑的添加，經(jīng)實(shí)驗發(fā)現，在A(yíng)lN中增加復合助燒劑Y2O3-Li2O、Y2O3-CaC2、Y2O3-CaF2、Y2O3-Dy2O3時(shí)，可以獲得較為致密、氧雜質(zhì)及第二相均較少的AlN樣品。
選擇合適的復合體系的燒結助劑可以實(shí)現AlN較低的燒結溫度和有效凈化晶界，獲得具有較高熱導率的AlN。1.大功率LED用高熱導率氮化鋁陶瓷基座的制備與封裝研究-李宏偉
2.功率電子器件封裝用氮化鋁陶瓷基板覆銅的研究-陳科成
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